Сравнивая книги. Часть 1.

 

        Одна за другой выходят книги «выдающегося интеллектуала 21 века»[1], радуя энергетиков.

        Если в первой книге [о1] энергетики, работающие с МУРЗ[2] не являются специалистами в области электроники, то во второй [о2] такими же качествами отличаются энергетики, работающие с электронным оборудованием.

Прочтя это, понимаешь, что ни в одной области  энергетики уже не осталось специалистов, понимающих устройство и принцип действия транзисторов, тиристоров, оптронов и реле. И только усилиями «выдающегося интеллектуала 21 века» возможно «облегчить понимание текста энергетиками».

        В обоих упомянутых опусах раздел «Элементная база» начинаются с одной и той же страницы, имеют одинаковые названия и добросовестно повторяют одни и те же ошибки и нелепости.

        Например,  и в той и в другой книге полупроводники занимают «огромный промежуточный диапазон значений удельного сопротивления».

        На первой же странице слово «куб», «кубик» употребляется столь часто, что впору решить -  никакой другой формы кристалл иметь не может.

        Для лучшего понимания электриками Г. предлагает «кусок полупроводникового материала» поместить в электрическое поле, приложив положительный и отрицательный потенциалы к его концам.

        Предлагается также улучшать проводимость полупроводника путем введения в его состав специально подобранных примесей. И даже указывает, сколько атомов этой примеси надо ввести на 10 миллионов атомов полупроводника.

        Не забывает Г. рассказать и о том, как осуществляют вплавление конца тонкой металлической проволочки в поверхность полупроводника.

        После такой вводной экскурсии в технологию производства полупроводниковых приборов Г. приступает к описанию принципа действия транзистора.

        Здесь он предлагает увидеть на рисунке, что транзистор «представляет собой … два полупроводниковых диода…», но нигде далее эту схему замещения не упоминает. Ну не нужна она ему больше.

        Тем не менее, данная схема замещения очень удобна для проверки исправности биполярных транзисторов [1], чего Г. ,наверное, не знает.

Как не знает и того, что существуют иные схемы замещения транзисторов, более точно описывающие процессы, происходящие в нём. Но энергетику «для облегчения понимания», наверное, этого знать и не надо.

        Описывая «внутреннюю конструкцию» оптрона Г. обращает внимание читателя прежде всего на цвет компаунда, как самое важное свойство данного элемента. Что делать с оптроном, у которого иной цвет компаунда, остается неизвестным.

        Изобилие фотографий различных полупроводниковых приборов не сопровождается никакими данными, что не позволят оценить достоинства и недостатки тех или иных приборов. Более того, их невозможно сравнить даже по размерам.

        Не забыта в этом разделе и технология изготовления деталей магнитопроводов. Подробно рассказано об отжиге, штамповке, фрезеровании деталей и многом другом. В том числе и про структуру Госса. Но ни слова о том, как эти сведения применить на практике для «облегчения понимания».

        И самое важное, автор не предупреждает читателя, что первый раздел новой книги (а это около 30% её объема) повторяет слово в слово текст, изданный им ранее. Не предупреждает также о том, что этот раздел не имеет никакого отношения к остальному тексту книги.

       

Opuses

о1. Гуревич В.И. Микропроцессорные реле защиты. Устройство, проблемы, перспективы. М.: Инфра-Инженерия, 2011, 336 с.

o2. Гуревич В.И. Устройства электропитания релейной защиты. Проблемы и решения. . М.: Инфра-Инженерия, 2013, 288 с

 

Литература

1. М.Браун, Д.Раутани, Д.Пэтил. Диагностика и поиск неисправностей электрооборудования и цепей управления.
М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2007, 328 с.